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APT4M120K相关型号

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Microsemi(美高森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • APT4M120K

  • 制造商：Microsemi
  • 批号：21+
  • 描述：MOSFET Power MOSFET - MOS8
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

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详细参数

  • 制造商:Microchip
  • 产品种类:MOSFET
  • RoHS:是
  • 技术:Si
  • 安装风格:Through Hole
  • 封装 / 箱体:TO-220-3
  • 晶体管极性:N-Channel
  • Vds-漏源极击穿电压:1.2 kV
  • Id-连续漏极电流:5 A
  • Rds On-漏源导通电阻:3.12 Ohms
  • Vgs th-栅源极阈值电压:4 V
  • Vgs - 栅极-源极电压:30 V
  • Qg-栅极电荷:43 nC
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • Pd-功率耗散:225 W
  • 通道模式:Enhancement
  • 商标名:POWER MOS 8
  • 封装:Tube
  • 高度:9.19 mm
  • 长度:10.26 mm
  • 宽度:4.72 mm
  • 商标:Microchip / Microsemi
  • 正向跨导 - 最小值:4.5 S
  • 下降时间:6.9 ns
  • 产品类型:MOSFET
  • 上升时间:4.4 ns
  • 工厂包装数量:1
  • 子类别:MOSFETs
  • 典型关闭延迟时间:24 ns
  • 典型接通延迟时间:7.4 ns
  • 单位重量:6 g

其它信息

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