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APT100GT60JRDQ4相关型号
Microsemi(美高森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • APT100GT60JRDQ4

  • 制造商：Microsemi
  • 批号：21+
  • 描述：IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency Combi
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

优势价格，APT100GT60JRDQ4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 制造商:Microchip
  • 产品种类:IGBT 模块
  • RoHS:是
  • 产品:IGBT Silicon Carbide Modules
  • 配置:Single
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V
  • 集电极—射极饱和电压:2.1 V
  • 在25 C的连续集电极电流:148 A
  • 栅极—射极漏泄电流:300 nA
  • Pd-功率耗散:500 W
  • 封装 / 箱体:ISOTOP-4
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • 封装:Tube
  • 商标:Microchip / Microsemi
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 栅极/发射极最大电压:30 V
  • 产品类型:IGBT Modules
  • 工厂包装数量:1
  • 子类别:IGBTs

其它信息

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