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APTGLQ200HR120G相关型号

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Microsemi(美高森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • APTGLQ200HR120G

  • 制造商：Microsemi
  • 批号：21+
  • 描述：IGBT 模块 Power Module - IGBT
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

优势价格，APTGLQ200HR120G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 制造商:Microchip
  • 产品种类:IGBT 模块
  • RoHS:是
  • 产品:IGBT Silicon Modules
  • 配置:Dual Common Emitter
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:1.2 kV, 600 V
  • 集电极—射极饱和电压:2.05 V, 1.5 V
  • 在25 C的连续集电极电流:300 A, 150 A
  • 栅极—射极漏泄电流:480 nA, 400 nA
  • Pd-功率耗散:1 kW, 340 W
  • 封装 / 箱体:SP6
  • 最小工作温度:- 40 C
  • 最大工作温度:+ 100 C
  • 封装:Tube
  • 商标:Microchip / Microsemi
  • 安装风格:Chassis Mount
  • 栅极/发射极最大电压:20 V
  • 产品类型:IGBT Modules
  • 工厂包装数量:1
  • 子类别:IGBTs
  • 单位重量:110 g

其它信息

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